El impulsor clave es la tecnología de unión híbrida (hybrid bonding). Al fabricar aceleradores de IA modernos y pilas de memoria HBM, la soldadura clásica ya no es capaz de proporcionar la densidad de contacto y la disipación de calor requeridas. El hybrid bonding permite unir troqueles de silicio directamente a nivel atómico. Sin el equipo de Besi, la producción de chips de próxima generación para centros de datos está simplemente bloqueada. Este informe demuestra que los inversores que buscan activos defensivos durante el auge de la IA los encuentran en el segmento de la ingeniería industrial utilitaria.
Fuente: Besi / Reuters
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