Golpe al Monopolio de TSMC: Samsung y Broadcom Firman Acuerdo de Memoria HBM y Fundición

La batalla por el mercado de aceleradores de IA personalizados (ASIC) está atrayendo a los mayores proveedores a cadenas de producción unificadas. El 25 de julio de 2026, Samsung Electronics y Broadcom anunciaron la firma de un MOU para la colaboración estratégica en memoria HBM, fundición de chips por contrato y empaquetado 3D avanzado.

El acuerdo tiene como objetivo crear un enlace crítico para la infraestructura de IA de próxima generación. Broadcom, el principal desarrollador de aceleradores personalizados para Big Tech (incluidos Google y Meta), utilizará el nodo de proceso de 2 nm de Samsung y sus líneas de empaquetado. Para el gigante coreano, esta es una oportunidad de tomar ventaja sobre TSMC en el segmento de fabricación de chips por contrato. La combinación de la memoria HBM de Samsung con la arquitectura de Broadcom reducirá el costo de los chips ASIC, acelerando el giro de los hiperescaladores fuera de las ultra costosas soluciones de NVIDIA.

Fuente: Samsung Semiconductor / Broadcom / Reuters