Удар по монополии TSMC: Samsung и Broadcom подписали соглашение по памяти HBM и фаундри

Борьба за рынок заказных ИИ-ускорителей (ASIC) вытягивает крупнейших вендоров в единые производственные цепочки. 25 июля 2026 года Samsung Electronics и Broadcom объявили о подписании меморандума (MOU) о стратегическом сотрудничестве в области HBM-памяти, контрактного литья чипов (foundry) и передовой 3D-упаковки (advanced packaging).

Сделка нацелена на создание критически важного звена для следующего поколения ИИ-инфраструктуры. Broadcom, являющийся главным разработчиком кастомных ускорителай для бигтеха (включая Google и Meta), задействует 2-нм техпроцесс и упаковочные линии Samsung. Для корейского гиганта это шанс взять реванш у TSMC в сегменте контрактного производства чипов. Объединение HBM-памяти от Samsung с архитектурой Broadcom позволит снизить себестоимость ASIC-чипов, ускорив уход гиперскейлеров от сверхдорогих решений NVIDIA.

Источник: Samsung Semiconductor / Broadcom / Reuters